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功率器件热设计基础（十二）——功率半导体器件的PCB设计
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。
2025-01-14
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功率器件热设计基础（十）——功率半导体器件的结构函数
在功率器件的热设计基础系列文章《功率半导体壳温和散热器温度定义和测试方法》和《功率半导体芯片温度和测试方法》分别讲了功率半导体结温、芯片温度、壳温和散热器温度的测试方法，用的测温仪器是热电偶、红外成像仪和模块中的NTC和芯片上的二极管。
2024-12-31
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功率器件热设计基础（八）——利用瞬态热阻计算二极管浪涌电流
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。
2024-12-25
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功率器件热设计基础（九）——功率半导体模块的热扩散
任何导热材料都有热阻，而且热阻与材料面积成反比，与厚度成正比。按道理说，铜基板也会有额外的热阻，那为什么实际情况是有铜基板的模块散热更好呢？这是因为热的横向扩散带来的好处。
2024-12-22
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功率器件热设计基础（七）——热等效模型
有了热阻热容的概念，自然就会想到在导热材料串并联时，就可以用阻容网络来描述。一个带铜基板的模块有7层材料构成，各层都有一定的热阻和热容，哪怕是散热器，其本身也有热阻和热容。整个散热通路还包括导热脂、散热器和环境。不同时间尺度下的各层温度如下图，温度的纹波是由热容决定的。
2024-12-11
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功率器件热设计基础（六）——瞬态热测量
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。
2024-12-09
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功率器件热设计基础（五）——功率半导体热容
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。
2024-12-06
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功率器件热设计基础（三）——功率半导体壳温和散热器温度定义和测试方法
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。
2024-11-25
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【“源”察秋毫系列】多次循环双脉冲测试应用助力功率器件研究及性能评估
随着电力电子技术的飞速发展，功率器件在电动汽车、可再生能源、智能电网等领域的应用日益广泛。这些应用对功率器件的性能和可靠性提出了更高的要求。特别是在电动汽车领域，功率器件需要在高电压、高电流和高温环境下稳定工作，这对器件的耐久性和可靠性是一个巨大的挑战。同时，随着SiC等宽禁带半导体材料的兴起，功率器件的性能得到了显著提升，但同时也带来了新的测试需求。如何在保证测试效率的同时，准确评估这些先进功率器件的性能和寿命，成为了行业发展的关键。
2024-11-23
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功率器件热设计基础（四）——功率半导体芯片温度和测试方法
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。
2024-11-23
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功率器件的热设计基础（二）——热阻的串联和并联
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。
2024-11-12
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功率器件热设计基础（一）——功率半导体的热阻
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。
2024-11-11
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