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Microsemi提供用于极端温度环境的FPGA和cSoC产品

致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司宣布，其现场可编程门阵列(FPGA) 和SmartFusion®可定制系统级芯片(SoC) 解决方案现已具备在150至200摄氏度下工作的极端工作温度范围特征，这些器件已经部署在向下钻探(down-hole drilling)产品、航天系统、航空电子设备，以及其它要求在极端低温和高温环境中提供高性能和最大可靠性的应用中。

2012-06-21
美高森美推出用于线性照明灯具的超快速启动LED驱动器

致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC)推出一款针对全球各地住宅、商业和工业照明灯具而优化的新型可调光LED驱动器模块。

2012-05-14
Microsemi推出用于有线和无线通信应用的系统管理设计工具

致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出一套用于高可用性有线和无线通信基础设施设备的系统与功率管理设计工具。新设计工具包括美高森美混合信号功率管理工具(Mixed Signal Power Manager，MPM) 4.0参考设计，支持多达64个电源轨和混合模拟与数字负载点(point-of-loads，POL)，以及基于PMBus™的通信。美高森美还提供了可用于Microsemi SmartFusion®可定制系统级芯片(customizable system-on-chip solution，cSoC)解决方案的评测工具套件，实现产品功能的快速评测。

2012-05-10
Microsemi扩展军用温度半导体产品涵盖SmartFusion® cSoC

致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation)宣布，已经对SmartFusion®可定制系统级芯片(customizable system-on-chip，cSoC) 器件进行完全筛选，以满足-55℃到125℃的严格的军用工作温度范围要求。这些器件集成了基于ARM® Cortex™-M3的处理器，并针对军用工作温度范围进行了完全测试，瞄准各种确保高可靠性性能至关重要的应用，包括航空电子系统和火箭，以及无人操纵的军用系统，这些装置必须在严苛的地面和大气环境中连续且可靠地运作。

2012-04-19
SmartFusion®：Microsemi发布SmartFusion cSoC参考设计

致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布提供基于SmartFusion®可定制系统级芯片(customizable system-on-chip，cSoC) 的工业和医疗应用LCD显示器参考设计。灵活的cSoC架构使得产品开发人员能够支持种类繁多的LCD面板配置选项，而且能够以具有成本效益的远程方式改变LCD驱动器功能，支持产品升级。此外，新平台支持开放式图形库安全关键性应用版本(Open Graphic Library Safety Critical，OpenGL SC)，这是开发安全关键性嵌入式显示系统的相关行业标准。

2012-04-17
FAN5904：飞兆半导体推出高效大功率降压转换器

便携产品设计人员面对不断变化的标准、增加电池寿命，以及延长通话和数据传输时间的需求。为了帮助设计人员应对这些挑战，全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发出一种用于手机和平板电脑射频部分的功率管理产品。

2012-03-31
ZL30150：Microsemi推出用于移动多媒体的高集成度SyncE器件

致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC) 发布用于移动多媒体和基于封包的运营级以太网应用的单芯片ZL30150线路卡(line card) 器件，扩展其业界最大型同步以太网(synchronous Ethernet，SyncE) 产品系列。Microsemi的ZL30150具有两个集成数字锁相环(digital phase lock loop，DPLL)，能够支持多达四个输入，用于发送和接收时钟需要单独的应用场景。新的线路卡器件还集成了两个数控振荡器(numerically controlled oscillator，NCO)，适合用于GSM、WCDMA和LTE应用的网络测量和控制系统。三家大型电信设备制造商已经选择ZL30150用于下一代路由器和交换机。

2012-03-30
RF功率管的输入输出阻抗测量

在设计射频放大电路的工作中，一般都要涉及到输入输出阻抗匹配的问题，而匹配网络的设计是解决问题的关键，如果知道网络设计需要的阻抗，那么就可以利用射频电路设计软件(如RFSim99)自动设计出匹配网络，非常方便。

2012-01-27
射频功率管的输入输出阻抗测量方法

有时候为了降低产品的功耗，必须设计出匹配良好和高效率的射频功率放大器，这时就有必要测量功率管在特定工作条件下的输入输出阻抗。在测定的过程中，首选的仪器是昂贵的网络分析仪，但是在不具备网络分析仪的情况下，可以寻求用普通的仪器(如示波器、阻抗测试仪等)进行测量。下面介绍一种用普通测量仪器测量射频功率管在实际工作条件下的输入输出阻抗的方法。

2012-01-06
低功耗制造测试技术

本文将首先介绍动态功耗与测试之间的关系，以说明为何功率管理现在比以往任何时候都迫切；然后介绍两种独特的DFT技术，它们利用了ATPG技术的优点，以自动生成低功率制造性测试。

2011-12-29
DC/DC电源技术研究

随着电力电子技术的发展，很多场合需要大功率大电流的直流电源。EAST的磁约束核聚变装置使用的直流快控电源即是一种大功率直流电源，其技术要求为：电压响应时间1ms峰值电压50V；最大电流20kA，能实现4个象限的运行。针对此要求，不可避免地需采用电源并联技术，即功率管并联或电源装置的并联。对于20kA直流电源，若采用功率管IGBT并联，每个桥臂则至少需15只功率管并联，这不但给驱动带来很大困难，而且，在一般情况下，电流容量较大的功率管的电压容量也较大，在实际电压只有50V 的情况下，对功率管的电压容量而言，这是极大的浪费。因此，提出采用多米诺结构的DC/DC电源装置并联技术思路。

2011-12-27
LED驱动设计5大关键点

这主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA,300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W,当然会引起芯片的发热。驱动芯片的最大电流来自于驱动功率MOS管的消耗，简单的计算公式为I=cvf（考虑充电的电阻效益，实际I=2cvf,其中c为功率MOS管的cgs电容，v为功率管导通时的gate电压，所以为了降低芯片的功耗，必须想办法降低c、v和f.如果c、v和f不能改变，那么请想办法将芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入额外的功耗。再简单一点，就是考虑更好的散热吧。

2011-11-11

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