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氮化镓取代碳化硅，从PI开始？
在功率器件选择过程中，以氮化镓、碳化硅为代表的宽禁带半导体越来越受到了人们的重视，在效率、尺寸以及耐压等方面都相较于硅有了显著提升，但是如何定量分析这三类产品的不同？Power Intergrations（PI）资深培训经理Jason Yan日前结合公司新推出的1250V氮化镓(GaN)产品，详细解释了三类产品的优劣，以及PI对于三种产品未来的判断，同时还介绍了PI氮化镓产品的特点及优势。
2023-11-16
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Transphorm氮化镓器件将DAH Solar SolarUnit的传统优势发挥到极致
DAH Solar的世界首个集成型光伏（PV）系统采用了Transphorm氮化镓平台，该集成型光伏系统已应用在大恒能源的最新SolarUnit 产品。使用了Transphorm的功率器件不仅能够生产出更小、更轻、更可靠的太阳能电池板系统，同时还能以更低的能耗提供更高的总发电量。与目前常用的硅基解决方案相比，氮化镓器件能做到更高的开关频率和功率密度。更值得一提的是，系统中使用的这两款氮化镓功率管均采用 PQFN88 高性能封装，可与常用栅极驱动器配对，从而帮助 DAH Solar 缩短了设计时间。
2023-10-16
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从硅到碳化硅，更高能效是功率器件始终的追求
随着新能源汽车和电动飞机概念的兴起，在可预见的未来里，电能都将会是人类社会发展的主要能源。然而，随着电气化在各行各业的渗透率不断提升，每年全社会对电能的消耗量都是一个天文数字。比如在中国，根据国家能源局发布的数据，2022年全社会用电量86,372亿千瓦时，同比增长3.6%；其中，高速发展的新能源汽车在整车制造方面，用电量大幅增长71.1%。
2023-10-09
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半导体功率器件的无铅回流焊
半导体器件与 PCB 的焊接历来使用锡/铅焊料，但根据环境法规的要求，越来越多地使用无铅焊料来消除铅。大多数适合这些应用的无铅焊料是具有较高熔点的锡/银合金，相应地具有较高的焊料回流温度。
2023-10-09
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多元融合高弹性电网初落地，电源和功率器件迎行业风口
每到盛夏，我国江浙沿海一带就会出现电力紧张问题。因此，“高温下保供电”便成为各地的主要方针。同时，随着新能源汽车渗透率提升，电能供应的挑战会越来越大。为了能够更好地解决供电难题，多元融合高弹性电网成为电力能源领域的热门概念，并已经得到了初步的落实。
2023-09-22
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如何更好的使用EiceDRIVER IC驱动SiC MOSFET
碳化硅（SiC MOSFET）和氮化镓(GaN)因其高频率、低损耗的特性得到广泛的应用，但对驱动系统的性能提出了更高的要求。英飞凌最新一代增强型EiceDRIVER™ 1ED34X1系列可提供高的输出电流、米勒钳位保护、精准的短路保护、可调的软关断等功能，为新一代的功率器件保驾护航。
2023-09-18
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如何在有限空间里实现高性能？结合最低特定RDS(On)与表面贴装技术是个好方法！
SiC FET在共源共栅结构中结合硅基MOSFET和SiC JFET，带来最新宽带隙半导体技术的性能优势，以及成熟硅基功率器件的易用性。SiC FET现可采用表面贴装TOLL封装，由此增加了自动装配的便利性，同时减少了元件尺寸，并达成出色的热特性，在功率转换应用中实现了功率密度最大化和系统成本最小化。
2023-09-18
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SiC功率半导体市场，如何才能成为头部玩家？
在功率电子领域，要论如今炙手可热的器件，SiC要说是第二，就没有人敢说第一了。随着原有的Si基功率半导体器件逐渐接近其物理极限，由第三代SiC功率器件接棒来冲刺更高的性能，已经是大势所趋。
2023-09-15
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如何选择和开始使用功率器件驱动器
所有的分立式开关功率器件都需要驱动器，无论这些器件是分立式金属氧化物硅场效应晶体管 (MOSFET)、碳化硅 (SiC) MOSFET、绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 还是模块。驱动器是系统处理器的低电压、低电流输出端与开关器件之间的接口元件或“桥梁”，前者在受控的良好环境中运行，而后者则在恶劣条件下工作，对电流、电压和定时有着严格的要求。
2023-09-14
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适用于高性能功率器件的 SiC 隔离解决方案
随着设备变得越来越小，电源也需要跟上步伐。因此，当今的设计人员有一个优先目标：化单位体积的功率（W/mm 3）。实现这一目标的一种方法是使用高性能电源开关。尽管需要进一步的研发计划来提高性能和安全性，并且使用这些宽带隙 (WBG) 材料进行设计需要在设计过程中进行额外的工作，但氮化镓 (GaN) 和 SiC 已经为新型电力电子产品铺平了道路阶段。
2023-08-21
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IGBT单管数据手册参数解析——下
IGBT是大家常用的开关功率器件，本文基于英飞凌单管IGBT的数据手册，对手册中的一些关键参数和图表进行解释说明，用户可以了解各参数的背景信息，以便合理地使用IGBT。
2023-08-14
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派恩杰半导体将于11月亮相 AUTO TECH 2023 广州国际汽车技术展览会
11月1日-3日，中国第三代半导体功率器件的领先品牌--派恩杰半导体将于广州保利世贸博览馆，亮相 AUTO TECH 2023 广州国际汽车技术展览会。
2023-07-31
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