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皮秒激光器的原理及其应用
超短激光脉冲的激光切除的优点在很多应用中得到了证实，直到最近也没有在工厂的地板上发现这些应用的工业副产物。在工业应用中，除去质量因素以外，可重复生产性和每个零件的成本也是很重要的标准。
2012-01-29
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连续或脉冲输出功率可调LD驱动电源设计
本文提出了可用于连续或脉冲输出的半导体激光器驱动电源的设计方法，测试结果表明：1)驱动波长范围为650～980 nm：2)输出功率0～300 mW连续可调；3)连续或脉冲输出可选。电源稳定、可靠、控制简单，功率连续可调，可广泛地用于对半导体激光驱动电源体积要求较小的应用中。
2012-01-18
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利用NI FlexRIO开发高速、紧凑型OCT成像系统
OCT是一种无创性成像技术，按照与相同显微镜类似的分辨率，使组织或者其他物体可视化。OCT越来越受关注，因为它可以提供比其他成像技术 [ 例如磁共振成像（MRI）或者正电子发射断层成像术(PET) ] 更高的分辨率。OCT利用小功率光源和相应的光反射产生图片，这种方法与使用光而不是使用声音的超声类似。在扫频光源(Swept Source)-OCT (SS-OCT)应用中，激光器扫描样本，同时快速数模转换器(ADC)需要数据，并且处理系统产生断层图像。因此，系统必须能够进行高速数据采集、复杂图像处理并且精确控制激光器扫描。另外，系统的数据采集和控制必须紧密同步，以实现优良性能。
2012-01-10
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基于DSP与数字温度传感器的温度控制系统
20世纪60年代以来，数字信号处理器(Digital Signal Processing，DSP)伴随着计算机和通信技术得到飞速发展，应用领域也越来越广泛。在温度控制方面，尤其是固体激光器的温度控制，受其工作环境和条件的影响，温度的精度要求比较严格，之前国内外关于温度控制基本上都采用温度敏感电阻来测量温度，然后用风冷或者水冷方式来达到温度控制效果，精度不够且体积大。
2011-12-13
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LDP-3830：ILX Lightwave推出高精度脉冲电流源用于激光二极管
ILX Lightwave宣布推出LDP-3830高精度脉冲电流源，专门用于激光二极管和量子级联激光器控制。LDP-3830可提供高达5A的峰值电流，20V的恒流输出电压，以及25ns到1s的可调节脉冲宽度。
2011-09-23
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大功率半导体激光器驱动电源保护电路方案
半导体激光器本身的性质决定其抗浪涌冲击能力差，这就要求驱动电源的稳定度高，浪涌冲击小，因此驱动电源中需要各种保护电路以满足实际要求。通常用慢启动电路、TVS（瞬态抑制器）吸收电路、限流电路等来防止浪涌冲击及电流过大。本文在参考各种实用的保护电路基础上，设计出应用大功率器件强制吸收或隔离浪涌冲击和双限流保护电路，有效地保护半导体激光器不被损伤
2011-07-14
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激光显示技术发展历史与现状
激光显示概念在上世纪60年代出现，世界各国的科学家都尝试将激光技术运用于显示光源的研究。上世纪90年代，随着全固态激光器关键材料的研制成功，大大推动了激光显示技术研究，激光显示技术的研究从上世纪90年代末就在我国进入高峰。本文讲述激光显示技术发展历史与现状
2011-04-12
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MRFE6VP6300H：飞思卡尔推出R FLDMOS功率管用于推拉式或单端配置
飞思卡尔半导体推出一款R FLDMOS功率管，工作频率为1.8至600MHz，最适于在CO2激光器、等离子体发生器和磁共振成像（MRI）扫描仪等应用中所遇到的具有潜在破坏性的阻抗失配条件下使用。新MRFE6VP6300HFET是世界首款50V LDMOS晶体管，在电压驻波比（VSWR）为65:1的负载中提供300W CW的全额定输出功率。
2010-11-16
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半导体激光管(LD)的电源设计
半导体激光管(LD)和普通二极管采用不同工艺，但电压和电流特性基本相同。在工作点时，小电压变化会导致激光管电流变化较大。此外电流纹波过大也会使得激光器输出不稳定。二极管激光器对它的驱动电源有十分严格的要求；输出的直流电流要高、电流稳定及低纹波系数、高功率因数等。本文为你分析半导体激光管(LD)的电源设计
2010-09-16
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IPG高功率光纤激光器厚板切割新进展
光纤激光行业的世界领导者IPG光子公司近日宣布，其在德国布尔巴赫应用实验室所做的实验效果表明，用IPG高功率光纤激光器切割厚板(厚度为25mm碳钢)的样品,其速度和效果已可与CO2激光器相媲美。
2010-08-30
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日本研发全息电视：用激光投射飘浮图像
，Holo-TV外形好似在地板上摊开的一本大书。激光器负责投射一个“图像云”，好似飘浮在房间中央。观众可以在不佩戴3D眼镜情况下从每一个角度欣赏立体影像。这听起来好似一项难以置信的技术，更适合在《星球大战》中出现而不是真实世界，但业内领导者实际上非常严肃对待全息电视。
2010-06-10
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50V RF LDMOS：飞思卡尔推出高功率密度功率管
飞思卡尔半导体日前推出一款RF LDMOS功率管，工作频率为1.8至600 MHz ，最适于在CO2激光器、等离子体发生器和磁共振成像（MRI）扫描仪等应用中所遇到的具有潜在破坏性的阻抗失配条件下使用。新MRFE6VP6300H FET是世界首款50V LDMOS晶体管，在电压驻波比（VSWR）为65:1的负载中提供 300 W CW的全额定输出功率。
2010-05-28
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