【導(dǎo)讀】隨著AI算力基礎(chǔ)設(shè)施規(guī)模化落地、物理AI及智能車載、人形機(jī)器人等新興場(chǎng)景快速迭代，市場(chǎng)對(duì)高效率、高可靠、耐高溫的功率半導(dǎo)體與無(wú)源器件需求持續(xù)激增。在2026上海PCIM Asia展會(huì)上，知名電子元器件廠商Vishay集中展出覆蓋電網(wǎng)、設(shè)備板卡、終端應(yīng)用的全鏈路電源技術(shù)與參考設(shè)計(jì)，全面適配AI基礎(chǔ)設(shè)施、軟件定義汽車、人形機(jī)器人、新能源充電系統(tǒng)等核心領(lǐng)域，為高端電力電子系統(tǒng)升級(jí)提供成熟硬件方案。
通過(guò)一系列參考設(shè)計(jì)和產(chǎn)品演示，Vishay重點(diǎn)展示廣泛的半導(dǎo)體和無(wú)源技術(shù)，包括從電網(wǎng)到板卡級(jí)的AI供電、軟件定義汽車以及人形機(jī)器人等領(lǐng)域
美國(guó) 賓夕法尼亞 MALVERN、中國(guó) 上海 — 2026年8月26日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，Vishay亮相PCIM Asia 2026，集中展示最新半導(dǎo)體和無(wú)源器件技術(shù)。誠(chéng)邀您蒞臨16號(hào)展廳C12展位，現(xiàn)場(chǎng)了解Vishay為AI基礎(chǔ)設(shè)施和物理AI應(yīng)用領(lǐng)域快速演進(jìn)的需求所量身打造的產(chǎn)品及參考設(shè)計(jì)。
圍繞完整的AI電源架構(gòu)，Vishay重點(diǎn)呈現(xiàn)從電網(wǎng)級(jí)電源基礎(chǔ)設(shè)施到電路板級(jí)系統(tǒng)供電的參考設(shè)計(jì)與產(chǎn)品組合。展示方案覆蓋固態(tài)變壓器（SST）、DC/DC電源（PSU）、高壓直流（HVDC）、DC/DC電源轉(zhuǎn)換、電池備用單元（BBU）、超級(jí)電容器備用單元（CBU）、熱插拔系統(tǒng)、軟件定義汽車（SDV）以及人形機(jī)器人電機(jī)控制。此外，面向下一代車輛平臺(tái)的汽車電源模塊也將同臺(tái)亮相。
在AI電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域，SST參考設(shè)計(jì)覆蓋輸入、直流隔離、輸出和電壓平衡級(jí)組件，包括額定值為11 μF / 1800 V的緊湊型金屬化聚丙烯DC-Link薄膜電容器；額定值高達(dá)310 μF / 2000 V的高可靠性電力電子電容器；具有高紋波電流和長(zhǎng)使用壽命的4端子牛角式鋁電解電容器；工作電壓高達(dá)5000 V的無(wú)電感功率電阻；以及采用EMIPAK 2B封裝的SiC MOSFET功率模塊。AC/DC PSU解決方案包括用于PFC和LLC級(jí)的第五代E系列MOSFET；用于同步整流和OR-ing應(yīng)用的TrenchFET? 第五代功率MOSFET；波形整流器；低正向電壓橋式整流器；具有高正向浪涌能力的玻璃鈍化整流器；針對(duì)高速硬開(kāi)關(guān)鉗位保護(hù)進(jìn)行優(yōu)化的SiC肖特基二極管；以及用于電流檢測(cè)的大功率、低電阻Power Metal Strip?電阻器。HVDC電源轉(zhuǎn)換展品主要包括用于功率因數(shù)校正（PFC）、自舉、濾波和預(yù)充電功能的解決方案。展出的重點(diǎn)產(chǎn)品包括幾乎無(wú)反向恢復(fù)拖尾電流、開(kāi)關(guān)損耗低的第四代SiC肖特基二極管，以及保證最小爬電距離為3.2 mm的貼片SiC肖特基二極管；工作溫度高達(dá)+125 °C、具有高紋波電流能力及耐高溫高濕的DC-Link薄膜電容器；以及能量吸收能力高達(dá) 300 J的PTC限流熱敏電阻。
電路板級(jí)電源方面，Vishay展出薄型 PowerPAK? SO-8DC 雙面散熱MOSFET解決方案，這些產(chǎn)品支持高達(dá)+175 °C的工作溫度，具有低導(dǎo)通電阻及低柵極和輸出電荷，可實(shí)現(xiàn)高效開(kāi)關(guān)；還將展出用于柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的厚膜芯片電阻器，這些產(chǎn)品具備出色的脈沖負(fù)載能力、增強(qiáng)的功率等級(jí)以及雙面印刷電阻元件。BBU和CBU展品包括電流高達(dá)260 A、線圈與鐵芯絕緣電壓達(dá)350 VDC的扁線繞線電感器；額定電流高達(dá)150 A、線圈與磁芯絕緣電壓達(dá)1500 VDC的IHDV功率電感器；額定電流高達(dá)100 A的IHLP?功率電感器；以及輸出濾波電容器。熱插拔系統(tǒng)將展示額定功率達(dá)150 W、脈沖吸收能力達(dá)75 J/0.1 s的用于預(yù)充電和放電應(yīng)用的功率電阻。
面向軟件定義汽車（SDV），本次展品主要包括POL轉(zhuǎn)換器、保護(hù)和電流檢測(cè)產(chǎn)品。重點(diǎn)展示的產(chǎn)品包括采用熱增強(qiáng)型PowerPAK MLP 5 x 6封裝、連續(xù)電流達(dá)50 A、峰值電流達(dá)80 A并通過(guò)AEC-Q100認(rèn)證的集成功率級(jí)；具有超低ESR、在85 °C / 85 % RH條件下保持額定電壓并通過(guò)AEC-Q200認(rèn)證的聚合物鉭電容器；具備7 kW浪涌保護(hù)能力和平坦鉗位電壓的汽車級(jí)TVS器件；符合OPEN Alliance規(guī)范的以太網(wǎng)ESD保護(hù)二極管；阻值極低的4端子電流檢測(cè)電阻器；以及用于反向保護(hù)的熱增強(qiáng)型MOSFET。人形機(jī)器人電機(jī)控制展品將展示采用PowerPAK SO-8和TOLL封裝并采用MOSFET實(shí)現(xiàn)的開(kāi)關(guān)、柵極驅(qū)動(dòng)電路和電流檢測(cè)，功率高達(dá)8 W的4接頭檢流電阻，以及額定工作電壓為200 V的汽車級(jí)電感器。針對(duì)電動(dòng)汽車（EV）/混合動(dòng)力汽車（HEV）充電站及48 V微型交通系統(tǒng)的汽車級(jí)電源模塊展品，重點(diǎn)展示兼具高隔離電壓、低導(dǎo)通電阻、高速開(kāi)關(guān)和低電容特性的SiC MOSFET / Si MOSFET電源模塊，以及集成了電流和溫度傳感能力、采用電氣隔離式裸露DBC襯底的半橋逆變器模塊。
此外，PCIM Asia 2026現(xiàn)場(chǎng)還為大家?guī)?lái)以下參考設(shè)計(jì)：
用于400 V / 800 V DC-Link電容器的帶繞線式安全電阻器和MOSFET驅(qū)動(dòng)器的主動(dòng)放電電路
基于WSBE Power Metal Strip? 電阻器打造的智能電池檢流模塊，該產(chǎn)品具有低TCR，并配備CAN FD接口，適用于400 V / 800 V系統(tǒng)
具有可調(diào)限流能力和DC-Link電容器預(yù)充電功能的48 V、100 A可復(fù)位電子熔絲
配備共模扼流圈以及可更換的X和Y電容器的單級(jí)、單相480 μH EMI濾波器
適用于3.3 V系統(tǒng)的有源備份解決方案，該產(chǎn)品采用EDLC電容器，充放電電流高達(dá)2.5 A
結(jié)論
本次PCIM Asia 2026展會(huì)，Vishay依托齊全的半導(dǎo)體與無(wú)源器件產(chǎn)品矩陣，完整展示了適配新一代AI時(shí)代的電力電子技術(shù)體系。從電網(wǎng)級(jí)基礎(chǔ)設(shè)施供電、板卡高效電源轉(zhuǎn)換，到汽車智能化、人形機(jī)器人電機(jī)控制等細(xì)分場(chǎng)景，Vishay的產(chǎn)品與標(biāo)準(zhǔn)化參考設(shè)計(jì)，有效解決了高端設(shè)備高功耗、高耐壓、高可靠、小型化的設(shè)計(jì)難題。整套方案兼顧性能、穩(wěn)定性與落地性，精準(zhǔn)匹配AI基礎(chǔ)設(shè)施和物理AI產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展需求，為行業(yè)高端電力電子系統(tǒng)的迭代升級(jí)提供了扎實(shí)的技術(shù)支撐。
