【導讀】韓國 8 英寸純晶圓代工廠 DB HiTek 宣布，其 1200V 碳化硅 MOSFET 工藝順利完成可靠性認證，建成全球首套完整 8 英寸 SiC 代工工藝流程。目前第一代、第二代工藝 PDK 已交付客戶，第三代 PDK 預計 11 月推出，可幫助客戶將產(chǎn)品開發(fā)周期縮短一年以上。整套工藝面向新能源車、新能源及工業(yè)功率設備市場，工廠計劃 2027 年正式量產(chǎn) 8 英寸碳化硅代工服務，抓住行業(yè)從 6 英寸向 8 英寸升級的窗口期。
向客戶交付第一代、第二代工藝設計套件(PDK)，第三代PDK計劃于11月推出；有望將產(chǎn)品開發(fā)周期縮短一年以上
韓國領(lǐng)先的純代工模式8英寸晶圓代工廠DB HiTek宣布，其基于8英寸（200毫米）晶圓的1200V碳化硅(SiC) MOSFET工藝已順利完成可靠性認證。該成果是該公司進軍8英寸SiC代工市場的重要進展，計劃于2027年實現(xiàn)量產(chǎn)。通過本次認證，DB HiTek計劃加大對客戶產(chǎn)品開發(fā)的支持力度，拓展新客戶，并加快推進2027年量產(chǎn)的各項籌備工作。
SiC屬于下一代功率半導體材料，在高溫高壓工況下性能優(yōu)于傳統(tǒng)硅(Si)材料，非常適用于電動汽車(EV)、新能源系統(tǒng)及工業(yè)功率設備。當前SiC市場仍以6英寸晶圓為主，全球各大半導體廠商正轉(zhuǎn)向8英寸晶圓，以此提升生產(chǎn)效率和成本競爭力。為順應這一市場轉(zhuǎn)型趨勢，DB HiTek開發(fā)了8英寸SiC工藝技術(shù)，搭建起自己的代工服務能力。
通過對大功率SiC MOSFET工藝的優(yōu)化，DB HiTek實現(xiàn)了具備競爭優(yōu)勢的電學特性與高可靠性。公司搭建完成了全球首套完整1200V 8英寸SiC代工工藝流程，打造出可覆蓋客戶設計、制造、電學特性表征及可靠性認證全環(huán)節(jié)的代工服務平臺。
為加快8英寸SiC代工業(yè)務商業(yè)化落地，DB HiTek向客戶提供了其專有第一代與第二代1200V SiC MOSFET工藝對應的工藝設計套件(PDK)。第三代PDK計劃于今年11月發(fā)布。借助該類PDK，客戶可削減開發(fā)初期所需投入的資源，加速樣片流片，并將產(chǎn)品開發(fā)周期縮短一年以上。
該PDK支持的第二代工藝，在柵極導通電壓(Vgs(on))=18V的條件下，可實現(xiàn)比導通電阻(Rsp)≤2.5?mΩ?cm2，閾值電壓(Vth)≥3?V，目前已完成工藝開發(fā)中高難度的可靠性認證。
計劃于11月推出的第三代工藝正在開展認證工作，其目標為：同樣在18V柵極導通電壓條件下，比導通電阻≤2.3?mΩ?cm2；同時短路安全工作區(qū)(SCSOA)內(nèi)的短路耐受時間(SCWT)不低于2.5?μs。認證全部完成后，DB HiTek將向客戶提供第三代PDK。
DB HiTek計劃于今年第三季度完成工藝籌備，優(yōu)先向長期合作客戶開放使用；2027年第二季度面向全部客戶正式開放這項代工服務。
DB HiTek相關(guān)負責人表示："本次1200V SiC MOSFET工藝可靠性認證的完成，意義重大，標志著我們已掌握全球首項8英寸SiC代工服務所需的核心工藝技術(shù)與制造基礎(chǔ)。我們將持續(xù)推進2027年8英寸SiC量產(chǎn)的籌備工作，力爭占據(jù)市場席位，提升公司在下一代功率半導體代工領(lǐng)域的競爭實力。"
結(jié)論
碳化硅功率器件正逐步從 6 英寸晶圓向 8 英寸產(chǎn)線遷移，以此提升產(chǎn)能、降低單片成本，這也是功率半導體行業(yè)的重要發(fā)展方向。DB HiTek 完成 1200V 8 英寸 SiC MOSFET 工藝可靠性認證，搭建起覆蓋設計、制造、測試、可靠性驗證的完整代工平臺，補齊了 8 英寸碳化硅代工的全鏈條能力。
