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新品開售｜貿澤電子上架英飛凌TLE4978高精度高帶寬電流傳感器
2026年9月，全球知名電子元器件授權分銷商貿澤電子正式上架英飛凌全新XENSIV? TLE4978高帶寬電流傳感器。這款器件采用專利混合霍爾與線圈架構，具備超高帶寬、超低噪聲與高精度檢測能力，可精準匹配碳化硅、氮化鎵等寬禁帶功率器件的高頻工作特性，廣泛適用于AI數據中心電源、車載充電、光伏逆變、工業電機驅動等高端功率轉換場景。目前配套評估板同步開放訂購，可幫助工程師快速完成產品驗證與項目開發。
2026-09-09
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重塑功率器件新格局，安森美垂直GaN技術實現規模化量產應用
隨著AI數據中心、新能源汽車、可再生能源等領域高速發展，市場對功率器件的電壓、頻率、能效、體積及穩定性要求持續升級，傳統硅基、碳化硅器件以及橫向氮化鎵技術，逐漸難以適配高端場景的迭代需求。安森美深耕十五年，成功實現垂直GaN（vGaN）技術商業化量產，依托獨特的GaN-on-GaN垂直架構、專屬外延工藝與完善專利布局，突破傳統橫向器件的性能桎梏，憑借高壓、高頻、低損耗、高穩健、小型化的核心優勢，廣泛適配算力、新能源、航空航天等高端領域，為行業電氣化、高效化升級提供核心技術支撐。
2026-09-09
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至信微實現SiC MOS與JFET雙產品線布局，1200V 5mΩ JFET正式批量供貨
碳化硅功率器件正在從MOSFET向更高性能的JFET方向延伸，超低導通電阻與高溫可靠性是工業、光伏、航天等場景的核心訴求。至信微電子今日宣布，1200V 5mΩ超低導通電阻SiC JFET系列產品已完成核心客戶端驗證，正式進入批量供貨。這是繼年初量產1200V 260mΩ、650V 140mΩ JFET之后，該公司在SiC JFET產品線上邁出的關鍵一步，也是國內首次實現5mΩ級SiC JFET的產業化供貨。
2026-08-27
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SiC MOSFET與MOS電容準靜態C-V完整測試方案
碳化硅（SiC）功率器件對柵氧化層界面質量、陷阱電荷等參數的精確表征提出更高要求。傳統準靜態C-V測試在SiC大電容器件上易出現結果失穩問題。吉時利4200A SCS引入恒流激勵準靜態C-V（Force-IQSCV）技術，以恒定電流激勵替代傳統步進電壓-電流采集路徑，為SiC MOS器件提供更穩定、快速的測試方案。本文系統解讀該技術的原理、配置、校準及數據分析流程。
2026-08-21
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AI數據中心業務環比增20%，CEO稱“幾年前不在任何人雷達上”
2026年8月19日，Wolfspeed公布2026財年第四季度業績：營收1.5億美元，功率器件收入環比增長6%至1.06億美元。汽車業務依然疲軟，但AI數據中心業務環比增長約20%，全年收入較2025財年已翻倍。管理層坦言該板塊占比仍有限，但其戰略重要性正快速攀升——CEO Robert Feurle直言：“幾年前這個市場甚至不在任何人的雷達上。”如今，Wolfspeed已組建數據中心團隊并引入資深人才，獲得LITEON、MacMic等電源廠商Design Win，終端覆蓋多家Hyperscaler客戶。公司正試圖在傳統汽車主戰場之外，開辟全新增長曲線。
2026-08-21
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芯片公司正在成為汽車產業真正的 “Tier 1”
汽車產業過去有一條非常清晰的供應鏈結構。整車廠負責車型定義和整車開發，Bosch、Continental、Denso 等 Tier 1 負責 ECU、傳感器、執行器以及大量系統集成工作，半導體公司則更多位于供應鏈上游，為 Tier 1 提供 MCU、功率器件、模擬芯片、傳感器以及通信芯片。
2026-08-14
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尋找“最具潛力”的中國芯片！2026年度“最能打的中國芯”評選正式啟動
過去幾年，中國芯產業經歷了一場深刻變革。從2018年中國芯片產業的投資邏輯與研發節奏被徹底改寫開始，從高端MCU、智能SoC，到信號鏈、電源芯片、功率器件，再到測試測量儀器，中國芯片正在不斷拓展邊界。
2026-08-10
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大聯大詮鼎集團攜手Infineon以固態變壓器重構配電效率新標桿
2026年8月6日，致力于亞太地區市場的國際領先半導體元器件分銷商---大聯大控股旗下詮鼎集團宣布，攜手英飛凌（Infineon）舉辦“Infineon SST技術與應用解析”線上研討會。本次研討會圍繞固態變壓器（SST）的設計與應用，重點介紹英飛凌的功率器件如何提升系統效率、簡化級聯設計，推動SST在數據中心、儲能及電動汽車充電等場景中的落地。
2026-08-06
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ST車載功率器件的EMI抑制：兼顧合規、安全和性能的設計方案
電磁兼容性（EMC）是指器件、設備或系統在電磁環境中按設計預期正常工作，且不出現性能下降和故障的能力。在汽車設計方面，電磁干擾（EMI）是亟待解決的重大難題。隨著汽車電動化、網聯化以及控制軟件化不斷提高，電磁干擾抑制在現代車載功率電子系統中尤為關鍵。車載功率電子系統要求元器件不僅具備高能效和保護功能，還必須擁有優異的抗電磁干擾性能，能夠在電磁干擾環境中正常穩定運行。在設計中需注意控制傳導發射與輻射發射兩類電磁干擾，同時不能損害開關性能、診斷準確度和功能安全性。
2026-07-10
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“芯”榮譽｜喜獲省級認證！鎵未來獲評2025年度“廣東省工程技術研究中心”
近日，廣東省科學技術廳正式發布《廣東省科學技術廳關于認定2025年度廣東省工程技術研究中心的通知》。珠海鎵未來科技有限公司憑借在氮化鎵功率半導體領域的技術創新實力與產業化成果，成功獲批“廣東省氮化鎵功率器件可靠性及應用工程技術研究中心”認定。
2026-02-05
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從分立器件到集成模塊，安森美全鏈路提升UPS功率密度與效率
UPS 技術已從初代單一應急供電演進為兼具電能優化、故障防護等多元功能的核心電力設備，低能耗、高可靠性成為新時代發展方向。本文聚焦安森美在線式 UPS 方案，系統解析其“AC-DC-AC”核心架構，并深入闡述碳化硅（SiC）器件、IGBT 器件及功率集成模塊（PIM）等關鍵產品的特性與價值，展現功率器件技術升級對 UPS 系統效率與功率密度提升的核心驅動作用。
2025-12-19
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規避常見“坑”：科學匹配EliteSiC柵極驅動，讓SiC器件發揮極致效能
隨著碳化硅（SiC）功率器件在新能源、工業控制等高壓高頻場景中加速普及，其性能潛力能否充分發揮，高度依賴于柵極驅動電路的精準設計與匹配。為此，本文提供一份針對SiC MOSFET的柵極驅動器匹配核心指南，系統解析如何在各類高功率主流應用中，科學選型與設計驅動電路，有效管控開關過程，從而顯著降低導通與開關損耗，最大化提升系統的電壓、電流效率與整體可靠性。
2025-12-04
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