狠狠干狠狠操-久青草视频-天堂网站-欧美日韩亚洲综合-黄色三级av-成人欧美在线-综合久久av-欧美人与禽zozzozzo-国产黄色高清视频-97影音-亚洲视频图片小说-国产 欧美 自拍-毛片的网站-天天干人人-欧美黄色免费在线观看-亚洲香蕉中文网-99热这里只有精品5-这里只有精品免费视频-看国产一级片-中国女人av

你的位置:首頁 > 電路保護 > 正文

EPC2014:EPC推出高性能第二代eGaN FET適用于高頻電路

發布時間:2011-09-05 來源:EDN

產品特性:

  • 面積為1.87平方毫米
  • 最大結溫額定值提高至150℃
  • 柵極電壓為5V 時的RDS(ON)最大值是16mΩ
  • 環保、無鉛、無鹵化物、符合RoHS

應用范圍:

  • 高速DC/DC電源、負載點轉換器
  • D類音頻放大器、硬開關和高頻電路


宜普電源轉換公司宣布推出第二代增強性能氮化鎵場效應晶體管(eGaN FET)系列中的最新成員——EPC2014。EPC2014具有環保特性、無鉛、無鹵化物以及符合RoHS(有害物質限制)條例要求。

EPC2014 FET是一款面積為1.87平方毫米的40VDS及10V器件,當柵極電壓為5V 時,RDS(ON)最大值是16mΩ。與前代EPC1014器件相比,新一代EPC2014器件具有明顯更高的性能優勢,其最大結溫額定值提高至150℃,其性能在更低柵極電壓時也得到全面增強。

與具有相同導通電阻的先進硅功率MOSFET相比,EPC2014體積小很多,而開關性能卻高出許多倍。受益于eGaN FET性能的應用包括高速DC/DC電源、負載點轉換器、D類音頻放大器、硬開關和高頻電路。

“除了性能方面增強了,新一代增強型氮化鎵場效應晶體管-EPC2014是不含鉛、無鹵化物及符合RoHS(有害物質限制)條例的要求。”共同創始人兼首席執行官Alex Lidow表示。

要采購開關么,點這里了解一下價格!
特別推薦
技術文章更多>>
技術白皮書下載更多>>
熱門搜索

關閉

?

關閉