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2010年中國(guó)數(shù)字機(jī)頂盒銷量將達(dá)3950萬(wàn)臺(tái)
幾年來(lái)中國(guó)機(jī)頂盒市場(chǎng)的強(qiáng)勁表現(xiàn)，與中國(guó)液晶電視市場(chǎng)的迅速增長(zhǎng)也有很大關(guān)系。雖然面臨全球經(jīng)濟(jì)危機(jī)， 2009年中國(guó)液晶電視市場(chǎng)達(dá)到2800萬(wàn)臺(tái)，比2008年的1300萬(wàn)臺(tái)大增115%，預(yù)計(jì)今年將達(dá)到3950萬(wàn)臺(tái)。
2010-06-01
數(shù)字 機(jī)頂盒 數(shù)字電視
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手持設(shè)備中超小型元器件的發(fā)展趨勢(shì)
展望未來(lái)，來(lái)自手機(jī)，包括智能手機(jī)的需求將持續(xù)增長(zhǎng)。面向印度和巴西這樣的發(fā)展中國(guó)家的低成本手機(jī)設(shè)計(jì)將成為巨大的市場(chǎng)增長(zhǎng)點(diǎn)。便攜設(shè)備的增長(zhǎng)帶動(dòng)了對(duì)超小型元器件的需求，本文介紹手持設(shè)備中微型功率電感的功能和應(yīng)用
2010-06-01
超小型元器件 手持設(shè)備 微型功率電感
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納米技術(shù)在微電子連接上的設(shè)計(jì)應(yīng)用
本文示舉兩例，介紹納米技術(shù)在微電子連接方面的應(yīng)用。納米技術(shù)（nanotechnology）是一門在0.1～100nm空間尺度內(nèi)操縱原子和分子，對(duì)材料進(jìn)行加工，制造具有特定功能的產(chǎn)品，或?qū)δ澄镔|(zhì)進(jìn)行研究，掌握其原子和分子的運(yùn)動(dòng)規(guī)律和特性的嶄新高技術(shù)。
2010-06-01
納米技術(shù) 微電子 納米印刷 納米連接
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Littelfuse 連續(xù)兩年授予Mouser目錄分銷商獎(jiǎng)
Mouser Electronics，以其新產(chǎn)品快速導(dǎo)入知名。今日宣布，Mouser被Littelfuse授予2009年目錄分銷商獎(jiǎng)。 Littelfuse是電路保護(hù)設(shè)備的領(lǐng)先制造商，提供行業(yè)內(nèi)范圍最廣最深入的電路保護(hù)產(chǎn)品和解決方案。
2010-06-01
Littelfuse Mouser
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Littelfuse 連續(xù)兩年授予Mouser目錄分銷商獎(jiǎng)
Mouser Electronics，以其新產(chǎn)品快速導(dǎo)入知名。今日宣布，Mouser被Littelfuse授予2009年目錄分銷商獎(jiǎng)。 Littelfuse是電路保護(hù)設(shè)備的領(lǐng)先制造商，提供行業(yè)內(nèi)范圍最廣最深入的電路保護(hù)產(chǎn)品和解決方案。
2010-06-01
Littelfuse Mouser
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Littelfuse 連續(xù)兩年授予Mouser目錄分銷商獎(jiǎng)
Mouser Electronics，以其新產(chǎn)品快速導(dǎo)入知名。今日宣布，Mouser被Littelfuse授予2009年目錄分銷商獎(jiǎng)。 Littelfuse是電路保護(hù)設(shè)備的領(lǐng)先制造商，提供行業(yè)內(nèi)范圍最廣最深入的電路保護(hù)產(chǎn)品和解決方案。
2010-06-01
Littelfuse Mouser
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安森美半導(dǎo)體推出IPD2工藝技術(shù)
應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)推出新的集成無(wú)源元件(IPD)工藝技術(shù)——IPD2。這新工藝是公司增強(qiáng)既有的HighQ?硅銅(copper on silicon) IPD技術(shù)，第二層的銅層厚度僅為5微米(μm)，增強(qiáng)了電感性能，提高了靈活性，配合...
2010-06-01
IPD2 集成無(wú)源元件(IPD)工藝
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安森美半導(dǎo)體推出IPD2工藝技術(shù)
應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)推出新的集成無(wú)源元件(IPD)工藝技術(shù)——IPD2。這新工藝是公司增強(qiáng)既有的HighQ?硅銅(copper on silicon) IPD技術(shù)，第二層的銅層厚度僅為5微米(μm)，增強(qiáng)了電感性能，提高了靈活性，配合...
2010-06-01
IPD2 集成無(wú)源元件(IPD)工藝
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安森美半導(dǎo)體推出IPD2工藝技術(shù)
應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)推出新的集成無(wú)源元件(IPD)工藝技術(shù)——IPD2。這新工藝是公司增強(qiáng)既有的HighQ?硅銅(copper on silicon) IPD技術(shù)，第二層的銅層厚度僅為5微米(μm)，增強(qiáng)了電感性能，提高了靈活性，配合...
2010-06-01
IPD2 集成無(wú)源元件(IPD)工藝
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