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PCB面積總是不夠用？教你一個(gè)好辦法
隨著電子設(shè)備尺寸不斷縮小，它們的內(nèi)部電路必須同步縮小。產(chǎn)品小型化成為各行各業(yè)的顯著發(fā)展趨勢(shì)，這為工程師在空間受限的設(shè)計(jì)中完成合適的解決方案帶來(lái)了新的設(shè)計(jì)難題。
2020-04-03
PCB ADI IC LT3942
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簡(jiǎn)化無(wú)線(xiàn)電池充電器設(shè)計(jì)，AutoResonant技術(shù)是個(gè)不錯(cuò)的選擇噢~
電池在日常設(shè)備中的使用越來(lái)越普遍。在許多日常產(chǎn)品中，很難或無(wú)法使用充電連接器。例如，有些產(chǎn)品需要密封外殼，以保護(hù)敏感電子產(chǎn)品免受惡劣環(huán)境的影響，并方便清潔或消毒。其他產(chǎn)品可能太小，無(wú)法提供連接器，而在電池供電應(yīng)用（包含移動(dòng)或旋轉(zhuǎn)部件）產(chǎn)品中，則無(wú)法通過(guò)連接線(xiàn)充電。在這些及其他...
2020-04-02
無(wú)線(xiàn)電池充電器 AutoResonant技術(shù)
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看懂MOSFET數(shù)據(jù)表，第3部分—連續(xù)電流額定值
今天我們來(lái)談一談MOSFET電流額定值，以及它們是如何變得不真實(shí)的。好，也許一個(gè)比較好的解釋就是這些額定值不是用確定RDS(ON) 和柵極電荷等參數(shù)的方法測(cè)量出來(lái)的，而是被計(jì)算出來(lái)的，并且有很多種不同的方法可以獲得這些值。
2020-04-02
MOSFET 數(shù)據(jù)表 連續(xù)電流 額定值
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看懂MOSFET數(shù)據(jù)表，第2部分—安全工作區(qū) (SOA) 圖
作為一名功率MOSFET的產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)工程師，在FET數(shù)據(jù)表的所有內(nèi)容中，除了電流額定值之外，我被問(wèn)到的最多的問(wèn)題可能就是安全工作區(qū) (SOA) 曲線(xiàn)了。這是一片需要某些技巧和手段才能完全了解的地帶，這是因?yàn)槊總€(gè)供應(yīng)商都有各自生成SOA曲線(xiàn)的方法，并且在提供有用信息方面，這個(gè)曲線(xiàn)所具有的價(jià)值與閱讀數(shù)...
2020-04-02
MOSFET 數(shù)據(jù)表 SOA圖
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對(duì)于小功率AC/DC轉(zhuǎn)換，倒置降壓的優(yōu)勢(shì)在哪？
對(duì)于離線(xiàn)電源來(lái)說(shuō)，反激拓?fù)涫且环N合理的解決方案。但是，如果設(shè)計(jì)的終端應(yīng)用不需要隔離，那么與之相比，離線(xiàn)倒置降壓拓?fù)渚哂懈叩男剩⑶?BOM 數(shù)量更少。這篇電源設(shè)計(jì)的文章，將會(huì)探討倒置降壓對(duì)于小功率 AC/DC 轉(zhuǎn)換的優(yōu)勢(shì)。
2020-04-01
倒置降壓 AC/DC 轉(zhuǎn)換器 電感器 離線(xiàn)式電源
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戶(hù)外藍(lán)牙音箱如何在兩節(jié)鋰電池7.4V輸出相當(dāng)鉛酸電池12V供電的功率？
鉛酸電池一直以來(lái)是戶(hù)外移動(dòng)中大功率音響的主要供電方式。鉛酸電池電壓高，輸出電流大，直供音頻功放可輸出2×20W功率。但鉛酸電池供電也有其弊端：體積大、不環(huán)保、循環(huán)充電次數(shù)不高。
2020-04-01
戶(hù)外藍(lán)牙音箱 鋰電池 鉛酸電池 功率
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使用追蹤電源來(lái)提高信號(hào)鏈性能
本文闡述了直流偏置電源對(duì)敏感模擬應(yīng)用中所使用運(yùn)算放大器 (op amp) 產(chǎn)生的影響，此外還涉及了電源排序及直流電源對(duì)輸入失調(diào)電壓的影響。另外，本文還介紹了一種通過(guò)線(xiàn)性穩(wěn)壓器（一般不具有追蹤能力）輕松實(shí)施追蹤分離電源的方法，以幫助最小化直流偏置電源帶來(lái)的一些不利影響。
2020-04-01
追蹤電源 信號(hào)鏈 性能
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看懂MOSFET數(shù)據(jù)表，第1部分—UIS/雪崩額定值
在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時(shí)，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼，也一目了然（BVDS、RDS(ON)、柵極電荷），其它的一些參數(shù)會(huì)十分的含糊不清、模棱兩可（IDA、SOA曲線(xiàn)），而其它的某些參數(shù)自始至終就毫無(wú)用處（比如說(shuō)：開(kāi)關(guān)時(shí)間）。在這個(gè)即將開(kāi)始的博文系列中，我們將試著破解FET數(shù)據(jù)表，這...
2020-04-01
MOSFET 數(shù)據(jù)表 UIS/雪崩
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何時(shí)使用負(fù)載開(kāi)關(guān)取代分立MOSFET
像蠟燭一樣，功率MOSFET（功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是切換負(fù)載最常見(jiàn)的方式，其四周?chē)@著眾多分立電阻器與電容器（以及用于控制功率MOSFET的雙極結(jié)型晶體管（BJT）/第二個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管）圍繞的功率MOSFET）。但在多數(shù)情況下，使用全面集成的負(fù)載開(kāi)關(guān)具有更顯著的優(yōu)點(diǎn)。
2020-04-01
負(fù)載開(kāi)關(guān) MOSFET
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