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意法半導體突破20納米技術節點，提升新一代微控制器的成本競爭力
服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)發布了一項基于 18 納米全耗盡絕緣體上硅(FD-SOI) 技術并整合嵌入式相變存儲器 (ePCM)的先進制造工藝，支持下一代嵌入式處理器升級進化。這項新工藝技術是意法半導體和三星晶圓代工廠共同開發，使嵌入式處理應用的性能和功耗實現巨大飛躍，同時可以集成容量更大的存儲器和更多的模擬和數字外設。基于新技術的下一代 STM32 微控制器的首款產品將于 2024下半年開始向部分客戶提供樣片，2025 年下半年排產。
2024-03-26
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主流供應商專家共話智能手機差異化創新設計
2013年將進入LTE智能手機開發高峰期，預計英特爾、高通、英飛凌和ST- Ericsson將成為主要的LTE平臺解決方案供應商，相變存儲器和SSD將成為LTE智能手機的主流存儲解決方案。該如何選擇和利用這些平臺開發出有獨特賣點的差異化產品？ ST-Ericsson和Micron等主流供應商專家，將于12月15日下午在第四屆智能手機設計工作坊上，從平臺、芯片組、存儲器、電源管理和測試方面深度分析移動互聯下智能手機創新的差異化解決方案。
2012-12-04
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相變存儲器及其工作原理
相變存儲器及其工作原理
2012-11-01
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