計(jì)算開(kāi)關(guān)MOSFET中的功率損耗
開(kāi)關(guān)MOSFET功率損耗的計(jì)算并不像最初看起來(lái)那么簡(jiǎn)單。許多因素都與之有關(guān)。溝道（或垂直）MOSFET與橫向MOSFET的損耗特性有何不同呢？在低功率到中等功率應(yīng)用中，導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗的相對(duì)影響如何變化？每種MOSFET的結(jié)構(gòu)的獨(dú)特特性如何影響高效率設(shè)計(jì)的開(kāi)發(fā)呢？本資料將介紹如何計(jì)算開(kāi)關(guān)MOSFET中的功率損耗。
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