【導讀】8月26日，據韓國媒體ZDnet Korea報道，三星電子與SK海力士正在加速推進其位于中國西安和大連的NAND閃存工廠升級與擴產計劃，相關投資預計在明年前陸續落地。三星西安工廠承擔其全球約40%以上的閃存產能，目前正推進第九代V-NAND（約286層）的轉換投資，目標月產能4萬至5萬片晶圓；SK海力士則自今年第三季度起在大連第二工廠重啟NAND技術升級，目標月產3萬片晶圓，整體產能將提升約50%。
韓國存儲雙雄加碼中國：三星與SK海力士的NAND產能競速
三星西安：沖刺280層V9 NAND量產
在三星的全球NAND產能布局中，西安工廠占據舉足輕重的地位，承擔著其全球約40%以上的閃存產能。此次投資的重點在于技術迭代與先進制程導入。
韓國存儲雙雄加碼中國：三星與SK海力士的NAND產能競速
據悉，三星電子自2026年上半年起，已在西安X2產線啟動了第九代V-NAND的轉換投資。第九代V-NAND采用約286層的堆疊架構，屬于當前行業內最先進的閃存產品之一。為了確保這一高端產品的穩定量產，三星已將補充投資計劃具體化，核心在于追加引入關鍵的蝕刻工藝設備——這對于在數百層堆疊結構中蝕刻出極深的通道孔至關重要。消息人士透露，相關設備采購訂單預計在2026年內落地，補充投資則計劃于2027年下半年開始執行，目標月產能約為4萬至5萬片晶圓。
SK海力士大連：重啟二廠擴大版圖
三星在西安大步邁進的同時，SK海力士在大連也并未缺席。作為其NAND業務的重要生產基地，大連工廠正迎來新的發展階段。SK海力士已自2026年第三季度起，在大連第二工廠正式推進NAND產品的技術升級與設備投資，目標規模約為月產3萬片晶圓。
韓國存儲雙雄加碼中國：三星與SK海力士的NAND產能競速
更值得關注的是，大連二廠的擴產計劃曾因行業下行周期而停滯四年，隨著企業級固態硬盤（eSSD）需求因AI數據中心普及而急劇增長，該計劃已被重新激活。預計新產線投產后，大連基地的整體產能將提升約50%。盡管為了規避設備進口限制，SK海力士采用了“韓國生產關鍵層、中國進行后續工序”的分段制造策略，在一定程度上拉長了生產周期，但相較于完全繞開限制，這已是當前最優的折中方案，其對中國產線先進制程的傾斜已清晰可辨。。
投資背后的深層邏輯與行業影響
韓國存儲雙雄此次同步加碼中國NAND產能，是多重市場與產業因素共振的結果。
首要驅動力來自AI需求。AI服務器的部署需要大量高容量、高性能的企業級SSD，直接推動了高端NAND需求的激增。為了抓住這一增長紅利，兩大巨頭必須確保足夠的先進產能儲備。與此同時，中國市場的戰略地位不可替代——中國不僅是全球最大的半導體消費市場，其完善的產業鏈配套和高效的制造能力，依然是巨頭們全球布局中降低成本、快速響應市場的關鍵一環。
而這一輪投資更深層的本質在于制程競賽。三星直接將西安工廠升級為V9 NAND（約286層）的海外量產基地，SK海力士則重啟大連工廠導入先進工藝，兩者均打破了以往“海外工廠落后本土兩代”的常規操作。中國工廠正從“產能中心”向“技術前沿陣地”躍遷，背后是全球AI算力競賽倒逼下，存儲巨頭為縮短高端產品交付周期，不得不將最先進產能部署在最具供應鏈優勢的地方。
對行業而言，這一布局將有效緩解全球高端NAND供需緊張，進一步鞏固韓國企業的市場主導地位。而對中國半導體生態來說，全球最先進存儲工藝與設備的持續落地，有望帶動本土上游材料、零部件及設備驗證產業鏈的協同發展，推動中國在全球半導體價值鏈上的參與深度實現實質性提升。
結論
三星和SK海力士此次同步擴產中國NAND產能，直接動力來自AI驅動的企業級SSD需求激增。但更值得關注的是產能背后的技術層級變化——三星將約286層V9 NAND直接放在西安量產，SK海力士重啟大連工廠導入先進工藝，均打破了以往“海外工廠落后本土兩代”的常規操作。中國工廠正在成為先進制程的海外量產基地，這背后是AI算力競賽倒逼下，存儲巨頭為縮短高端產品交付周期而做出的供應鏈選擇。
