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Gartner預測：2026年全球半導體收入將達1.6萬億美元，同比增長92%
Gartner最新發布的半導體收入預測，數字相當扎眼：2026年全球半導體收入預計達到1.6萬億美元，比2025年增長92%，2027年還要再沖到1.9萬億。驅動這個增速的，一是AI基礎設施的持續投入，二是內存價格進入了一個超預期的上行周期。內存今年在半導體總收入中的占比將從27%跳到54%，DRAM和NAND的增幅分別達到246%和371%。Gartner的分析師認為，這已經不是一個普通的周期波動，而是半導體行業進入了一個本質上不同的增長階段。
2026-08-24
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長江存儲正在以驚人速度吃掉國內需求！
據報道，長江存儲正以驚人的速度吞噬國內NAND閃存需求。Counterpoint數據顯示，2026年第一季度長江存儲全球市場份額已攀升至13%，與美光、閃迪持平。單季營收同比暴漲445%，從2025年同期的8%躍升至13%。長江存儲迅速擴張的直接受益者并非模組廠，而是中國頭部云服務商。阿里云已與長江存儲達成232層NAND年度采購意向，占其國內NAND采購約15%。
2026-07-27
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從機械到半導體：固態硬盤如何重塑數據存儲的未來
在數字化浪潮的推動下，數據已成為驅動現代社會運轉的核心要素，而存儲技術的每一次躍遷，都深刻塑造著計算的邊界。從早期的穿孔卡片到機械硬盤（HDD）的磁性存儲，再到如今以閃存（NAND Flash）為基礎的固態硬盤（SSD），存儲介質的進化始終圍繞著“更快、更穩、更小、更省”的核心目標。天碩（TOPSSD）G40 M.2 NVMe工業級固態硬盤的出現，正是這一演進邏輯在嚴苛工業環境下的集中體現。它不僅代表了半導體存儲技術對傳統磁性存儲的系統性超越，更通過自研主控與全鏈路國產化方案，在-40℃至85℃的寬溫域內實現了穩定運行，為國防、軌道交通與高端工業自動化等關鍵領域提供了堅實的數據基石。本文將從SSD的定義與結構出發，系統解析其相較于機械硬盤的技術優勢，揭示這場存儲變革背后的深層邏輯。
2026-03-28
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降本增效新路徑：海翔科技賦能二手Prevos與Selis刻蝕設備的高品質復用
在半導體制造向3D NAND超高層堆疊與先進邏輯GAA架構演進的關鍵階段，高深寬比通道刻蝕與納米級高選擇性蝕刻已成為突破存儲密度極限與構建復雜3D結構的核心工藝瓶頸。泛林半導體（Lam Research）旗下的Prevos與Selis系列刻蝕設備，分別憑借Cryo 3.0低溫蝕刻技術與自由基/熱蝕刻雙重能力，以原子級精度和卓越的輪廓穩定性，成為支撐400層以上3D NAND及先進制程芯片量產的基石。然而，隨著產業對成本控制需求的日益迫切，二手高端設備的合規流通與復用已成為行業降本增效的重要路徑。面對這一趨勢，海翔科技依托深厚的運維積淀，嚴格對標SEMI行業規范及《進口舊機電產品檢驗監督管理辦法》，構建了涵蓋拆機評估、整機檢測到現場驗機的全流程質量管控體系。本文旨在系統闡述該體系針對Prevos與Selis系列設備的技術實施規范，深入解析如何通過標準化的拆解標記、精密的部件損耗分析及多維度的性能驗證，確保二手核心裝備在復用過程中依然具備原廠級的工藝穩定性與安全合規性，為半導體產線的持續升級提供堅實的技術保障。
2026-02-28
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一顆NOR，撐起AI耳機、ADAS與HBM4服務器的底層信任
在半導體存儲領域，NOR Flash雖不如DRAM或NAND Flash廣為人知，卻憑借其“芯片內執行”（XIP）、高可靠性、快速啟動和長數據保留等獨特優勢，在物聯網、汽車電子、AI終端及AI服務器等關鍵場景中扮演著不可替代的角色。從上世紀80年代誕生至今，NOR Flash已從功能機固件存儲走向智能時代的高性能剛需元件。尤其在AI與自動駕駛浪潮推動下，其市場需求激增、價格上揚，并催生本土MCU企業加速布局“MCU+存儲”生態。與此同時，3D NOR Flash技術的突破更將存儲密度與性能推向新高度，為行業打開全新成長空間。
2026-02-12
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從IP到Chiplet：奎芯ONFI接口技術的創新與突破
ONFI作為閃存控制器與NAND顆粒的關鍵接口協議，其技術水平直接決定存儲系統競爭力。奎芯科技深耕ONFI IP領域，以領先技術規格、全場景工藝覆蓋及Chiplet架構戰略布局構建核心優勢，下文將圍繞其價值、技術亮點、生態能力及戰略規劃，展現奎芯在高速存儲接口領域的硬核實力，為多領域應用提供核心支撐。
2026-01-27
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硬核實力賦能存儲升級——奎芯科技ONFI IP技術解析
身處AI與高性能計算的浪潮中，數據存儲吞吐量面臨明顯瓶頸，而ONFI（Open NAND Flash Interface）作為連接閃存控制器與NAND顆粒的關鍵高速接口協議，其IP方案正是保障大規模數據高效存取、撐起SSD及各類先進存儲系統的核心技術基石。奎芯科技深耕ONFI IP領域，憑借行業領先的技術規格、全工藝節點覆蓋能力及Chiplet架構下的戰略布局，構建起差異化競爭優勢，為存算一體、企業級SSD等多領域應用提供高性能、高可靠的定制化存儲接口解決方案。
2026-01-19
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NAND Flash位翻轉是什么？一文讀懂其原理與應對
設備運行中的“間歇性故障”往往令人困惑——開機異常、程序紊亂，可重新燒錄固件后一切又恢復正常。當這樣的問題與NAND Flash存儲介質相遇時，“位翻轉”這一易被忽視的技術現象，很可能就是幕后根源。本文將從NAND Flash的工作原理切入，清晰闡釋位翻轉的本質、誘發因素，進而聚焦ECC校驗這一核心解決方案，并結合ZLG致遠電子M3352核心版的實踐案例，帶您了解如何應對此類存儲相關故障。
2025-12-16
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三星發布NAND閃存重大突破：新結構功耗直降96%，重塑AI數據中心未來
近日，三星電子宣布在存儲技術領域實現重大突破，其研發團隊成功開發出一種新型NAND閃存結構，可將功耗降低超過90%。這一成果有望徹底改變人工智能數據中心、移動設備及其他依賴存儲芯片的終端產品的未來發展路徑。
2025-11-28
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NAND價格飆升沖擊下游，手機廠商被迫“降容”應對
近期，全球閃存市場迎來新一輪價格調整，閃迪（SanDisk）作為行業巨頭率先行動，在11月宣布大幅上調NAND閃存合約價格，漲幅高達50%。這一舉措遠超市場預期，成為今年以來的第三次漲價。此前，閃迪已在4月和9月分別執行了10%的普漲政策。與此同時，美光、三星等存儲大廠也紛紛跟進，進一步加劇了市場的波動。
2025-11-11
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鎧俠與閃迪發布下一代3D閃存技術，實現4.8Gb/s NAND接口速度
兩家公司在2025年國際固態電路會議上展示了這項3D閃存創新技術，它與公司突破性的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外圍電路直接鍵合到存儲陣列）技術1相結合，采用最新的NAND閃存接口標準Toggle DDR6.0以及SCA（獨立命令地址）協議2（一種全新的接口命令地址輸入方式），同時還整合了PI-LTT（電源隔離低抽頭終端）技術3（在進一步降低功耗方面發揮了關鍵作用）。
2025-02-24
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漫談QLC其三：QLC NAND的主流應用
前文所述，老四QLC在爭議中成長，已進入當打之年，憑借性能、壽命、容量和價格極致性價比的特性，配合主控和固件糾錯能力和算法方案的日漸成熟，進入到消費級SSD和企業級SSD主戰場，如今市面上有多款已量產的消費級和企業級QLC SSD，進入商用。
2023-12-11
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