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中微 Primo Domingo 高选择性刻蚀机全球首台付运，补齐三维器件刻蚀短板
中微公司宣布，Primo Domingo® 气相高选择性刻蚀设备全球首台机交付国内集成电路客户。高选择性刻蚀是 GAA、3D NAND、3D DRAM 这类三维芯片制造的核心工序，该设备的落地填补了国内下一代 3D 器件关键刻蚀工艺的自主空白。设备采用全对称腔体、双冷热晶圆基座、快速脉冲气控等设计，搭配成熟的传输系统，保障晶圆刻蚀均匀性与工艺稳定性。目前中微刻蚀设备覆盖 65nm 至 3nm 及更先进节点，超高深宽比刻蚀能力达到国际一流水准，公司整体已经形成刻蚀、薄膜、量测等多品类设备平台化布局，累计超 8800 个反应台在海内外产线量产。面向未来，中微计划持续拓展产品线，瞄准高端半导体设备与先进封装设备市场。在 AI 算力带动晶圆厂扩产、存储资本开支上行的背景下，这款设备也有望带动国内三维器件供应链自主能力进一步提升。
2026-10-23
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长江存储份额走高，三星、SK 海力士存量厂升级计划面临管制不确定性
长江存储本土 NAND 份额已经反超三星，叠加 AI 存储需求爆发，三星、SK 海力士启动国内存量闪存工厂的工艺升级。三星西安厂计划改造至 286 层 V9 NAND，SK 海力士大连厂瞄准 300 层以上产品研发。但整套升级方案受美国设备出口管制约束，设备许可证能否获批尚不明确。两种结果将带来截然不同的产业走向：许可落地会增加国内高堆叠 NAND 供给，缓解 AI SSD 紧缺；审批受阻，则会留给长江存储更多份额提升和产品迭代窗口。
2026-10-22
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算力时代存储革新：NAND闪存分层升级，重构AI数据中心底层架构
人工智能技术的快速落地与普及，彻底改变了传统数据中心的运行模式，也让原有统一化的存储架构难以适配当下多元化、高负荷的AI工作负载。相较于备受关注的CPU、GPU等算力硬件，作为数据流转核心的存储体系，正在经历一场深度且关键的技术革新。依托NAND闪存打造的企业级固态硬盘，已然成为支撑AI模型训练、数据处理、智能推理的核心基础设施。为适配AI不同阶段的差异化需求，行业逐步形成计算优化型与容量优化型两类eSSD并行发展的格局，彻底打破了传统单一的存储分层模式。通过就近部署高速存储、分层搭建大容量数据湖，叠加QLC闪存技术的规模化应用，数据中心存储实现了性能、容量、能耗与成本的平衡升级，为AI算力基础设施的高效、规模化建设筑牢底层支撑。与此同时，国内科技企业持续深耕AI赛道，软通动力、大华股份等企业业绩稳步增长，亚太地区AI落地应用交流愈发紧密，产业整体进入技术迭代与商业化落地双向提速的新阶段。
2026-09-03
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三星与SK海力士同步扩产中国NAND产能，西安冲刺286层、大连重启二厂
8月26日，据韩国媒体ZDnet Korea报道，三星电子与SK海力士正在加速推进其位于中国西安和大连的NAND闪存工厂升级与扩产计划，相关投资预计在明年前陆续落地。三星西安工厂承担其全球约40%以上的闪存产能，目前正推进第九代V-NAND（约286层）的转换投资，目标月产能4万至5万片晶圆；SK海力士则自今年第三季度起在大连第二工厂重启NAND技术升级，目标月产3万片晶圆，整体产能将提升约50%。
2026-08-27
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Gartner预测：2026年全球半导体收入将达1.6万亿美元，同比增长92%
Gartner最新发布的半导体收入预测，数字相当扎眼：2026年全球半导体收入预计达到1.6万亿美元，比2025年增长92%，2027年还要再冲到1.9万亿。驱动这个增速的，一是AI基础设施的持续投入，二是内存价格进入了一个超预期的上行周期。内存今年在半导体总收入中的占比将从27%跳到54%，DRAM和NAND的增幅分别达到246%和371%。Gartner的分析师认为，这已经不是一个普通的周期波动，而是半导体行业进入了一个本质上不同的增长阶段。
2026-08-24
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长江存储正在以惊人速度吃掉国内需求！
据报道，长江存储正以惊人的速度吞噬国内NAND闪存需求。Counterpoint数据显示，2026年第一季度长江存储全球市场份额已攀升至13%，与美光、闪迪持平。单季营收同比暴涨445%，从2025年同期的8%跃升至13%。长江存储迅速扩张的直接受益者并非模组厂，而是中国头部云服务商。阿里云已与长江存储达成232层NAND年度采购意向，占其国内NAND采购约15%。
2026-07-27
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从机械到半导体：固态硬盘如何重塑数据存储的未来
在数字化浪潮的推动下，数据已成为驱动现代社会运转的核心要素，而存储技术的每一次跃迁，都深刻塑造着计算的边界。从早期的穿孔卡片到机械硬盘（HDD）的磁性存储，再到如今以闪存（NAND Flash）为基础的固态硬盘（SSD），存储介质的进化始终围绕着“更快、更稳、更小、更省”的核心目标。天硕（TOPSSD）G40 M.2 NVMe工业级固态硬盘的出现，正是这一演进逻辑在严苛工业环境下的集中体现。它不仅代表了半导体存储技术对传统磁性存储的系统性超越，更通过自研主控与全链路国产化方案，在-40℃至85℃的宽温域内实现了稳定运行，为国防、轨道交通与高端工业自动化等关键领域提供了坚实的数据基石。本文将从SSD的定义与结构出发，系统解析其相较于机械硬盘的技术优势，揭示这场存储变革背后的深层逻辑。
2026-03-28
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降本增效新路径：海翔科技赋能二手Prevos与Selis刻蚀设备的高品质复用
在半导体制造向3D NAND超高层堆叠与先进逻辑GAA架构演进的关键阶段，高深宽比通道刻蚀与纳米级高选择性蚀刻已成为突破存储密度极限与构建复杂3D结构的核心工艺瓶颈。泛林半导体（Lam Research）旗下的Prevos与Selis系列刻蚀设备，分别凭借Cryo 3.0低温蚀刻技术与自由基/热蚀刻双重能力，以原子级精度和卓越的轮廓稳定性，成为支撑400层以上3D NAND及先进制程芯片量产的基石。然而，随着产业对成本控制需求的日益迫切，二手高端设备的合规流通与复用已成为行业降本增效的重要路径。面对这一趋势，海翔科技依托深厚的运维积淀，严格对标SEMI行业规范及《进口旧机电产品检验监督管理办法》，构建了涵盖拆机评估、整机检测到现场验机的全流程质量管控体系。本文旨在系统阐述该体系针对Prevos与Selis系列设备的技术实施规范，深入解析如何通过标准化的拆解标记、精密的部件损耗分析及多维度的性能验证，确保二手核心装备在复用过程中依然具备原厂级的工艺稳定性与安全合规性，为半导体产线的持续升级提供坚实的技术保障。
2026-02-28
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一颗NOR，撑起AI耳机、ADAS与HBM4服务器的底层信任
在半导体存储领域，NOR Flash虽不如DRAM或NAND Flash广为人知，却凭借其“芯片内执行”（XIP）、高可靠性、快速启动和长数据保留等独特优势，在物联网、汽车电子、AI终端及AI服务器等关键场景中扮演着不可替代的角色。从上世纪80年代诞生至今，NOR Flash已从功能机固件存储走向智能时代的高性能刚需元件。尤其在AI与自动驾驶浪潮推动下，其市场需求激增、价格上扬，并催生本土MCU企业加速布局“MCU+存储”生态。与此同时，3D NOR Flash技术的突破更将存储密度与性能推向新高度，为行业打开全新成长空间。
2026-02-12
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从IP到Chiplet：奎芯ONFI接口技术的创新与突破
ONFI作为闪存控制器与NAND颗粒的关键接口协议，其技术水平直接决定存储系统竞争力。奎芯科技深耕ONFI IP领域，以领先技术规格、全场景工艺覆盖及Chiplet架构战略布局构建核心优势，下文将围绕其价值、技术亮点、生态能力及战略规划，展现奎芯在高速存储接口领域的硬核实力，为多领域应用提供核心支撑。
2026-01-27
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硬核实力赋能存储升级——奎芯科技ONFI IP技术解析
身处AI与高性能计算的浪潮中，数据存储吞吐量面临明显瓶颈，而ONFI（Open NAND Flash Interface）作为连接闪存控制器与NAND颗粒的关键高速接口协议，其IP方案正是保障大规模数据高效存取、撑起SSD及各类先进存储系统的核心技术基石。奎芯科技深耕ONFI IP领域，凭借行业领先的技术规格、全工艺节点覆盖能力及Chiplet架构下的战略布局，构建起差异化竞争优势，为存算一体、企业级SSD等多领域应用提供高性能、高可靠的定制化存储接口解决方案。
2026-01-19
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NAND Flash位翻转是什么？一文读懂其原理与应对
设备运行中的“间歇性故障”往往令人困惑——开机异常、程序紊乱，可重新烧录固件后一切又恢复正常。当这样的问题与NAND Flash存储介质相遇时，“位翻转”这一易被忽视的技术现象，很可能就是幕后根源。本文将从NAND Flash的工作原理切入，清晰阐释位翻转的本质、诱发因素，进而聚焦ECC校验这一核心解决方案，并结合ZLG致远电子M3352核心版的实践案例，带您了解如何应对此类存储相关故障。
2025-12-16
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