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是什么使SiC成為組串式逆變器的完美解決方案
與硅技術相比，SiC MOSFET在光伏和儲能應用中具有明顯的優勢，它解決了能效與成本的迫切需求，特別是在需要雙向功率轉換的時候。
2023-02-09
SiC 組串式 逆變器
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滿足電子化需求的汽車應用解決方案
隨著汽車朝向電子化發展，無論是傳統燃油車還是混合／純電動車，都使用越來越多的電子零部件，使得汽車應用市場蓬勃發展，也為電子產業帶來龐大的商機。本文將為您簡介汽車應用市場的發展，以及由Nexperia所推出的解決方案。
2023-02-08
電子化 汽車 解決方案
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數字控制讓雙向電源轉換易如反掌
傳統的電源都是采用模擬方式控制，而近些年出現的數字電源則是以數字信號處理器（DSP）或微控制器（MCU）為控制核心來實現控制、管理和監測功能的電源產品。
2023-02-08
數字控制 雙向電源
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如何手動計算IGBT的損耗
現今隨著高端測試儀器和仿真軟件的普及，大部分的損耗計算都可以使用工具自動完成，節省了不少精力，不得不說這對工程師來說是一種解放，但是這些工具就像黑盒子，好學的小伙伴總想知道工作機理。其實基礎都是大家學過的基本高等數學知識。今天作者就幫大家打開這個黑盒子，詳細介紹一下IGBT損耗計...
2023-02-07
IGBT 損耗
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如何給核心板的底板設計電源？
在選型某一款核心板后，硬件工程師將會針對自己的產品應用設計底板，除了外設的功能電路外，底板電源設計也是一款產品好壞的關鍵。結合ZLG致遠電子的核心板產品，本文將對底板的電源設計提供一些方法及參考。
2023-02-07
核心板 底板 電源
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滿足嚴格效率和性能規格且尺寸要小的電源，需要搭配什么樣的控制器？
高性能通信、服務器和計算系統中的ASIC、FPGA和處理器需要使用能直接從12 V或中間總線生成1.0 V（或更低）電壓的核心電源——最大負載電流有時候可能高于200 A。這些電源必須滿足嚴格的效率和性能規格，且通常具備相對較小的PCB尺寸。LTC7852/LTC7852-1 6相雙輸出降壓控制器為這些電源提供高性能的靈...
2023-02-06
電源 控制器
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碳化硅MOSFET尖峰的抑制
SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導體具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優勢，在各種各樣的電源應用范圍在迅速地擴大。其中一個主要原因是與以前的功率半導體相比，SiC MOSFET 使得高速開關動作成為可能。但是，由于開關的時候電壓和電流的急劇變化，器件的封裝電感和周邊電...
2023-02-06
碳化硅 MOSFET 尖峰
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瞄準智能制造、新能源汽車等新興關鍵數據存儲需求，FeRAM發力智能物聯時代增量市場
存儲器是現代信息系統最關鍵的組件之一，在當前物聯網與人工智能聯合推動下的數據爆發時代，存儲器行業的“加速鍵”隨之開啟。據YOLE統計，自2019年以來，存儲器成為半導體增速最快的細分行業，總體市場空間從2019年的1110億美元將增長至2025年的1850億美元。細分市場中，以FeRAM（鐵電存儲）和ReRAM...
2023-02-06
智能制造 新能源汽車 FeRAM
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碳化硅如何革新電氣化趨勢
在相當長的一段時間內，硅一直是世界各地電力電子轉換器所用器件的首選半導體材料，但 1891 年碳化硅 (SiC) 的出現帶來了一種替代材料，它能減輕對硅的依賴。SiC 是寬禁帶 (WBG) 半導體：將電子激發到導帶所需的能量更高，并且這種寬禁帶具備優于標準硅基器件的多種優勢。
2023-02-03
碳化硅 電氣化 趨勢
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