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基于Teseo II芯片的汽車導(dǎo)航系統(tǒng)設(shè)計(jì)
意法半導(dǎo)體(ST)的Teseo II導(dǎo)航芯片是針對多衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)開發(fā)的單芯片IC系列(STA8088),該芯片的一系列參考設(shè)計(jì)中使用了EPCOS(愛普科斯)與TDK元件,十分適用于汽車與消費(fèi)電子產(chǎn)品。
2013-05-28
汽車 導(dǎo)航 Teseo II 芯片
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Fairchild新型車用功率模塊 高集成度降低系統(tǒng)成本
近日,F(xiàn)airchild開發(fā)出車用三相變速逆變器功率模塊FTC03V455A1,該功率模塊允許更高的扭矩系統(tǒng),節(jié)省燃料及降低 CO2排放量,可幫助設(shè)計(jì)人員縮短開發(fā)時(shí)間,提高可靠性,簡化高功率電機(jī)驅(qū)動。
2013-05-24
Fairchild 汽車 功率 模塊 FTC03V455A1
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半月談:探究光伏發(fā)電 深入解析逆變技術(shù)
盡管近年來光伏行業(yè)形勢不容樂觀,但有預(yù)測顯示,到2015年,光伏組件、逆變器營收將出現(xiàn)強(qiáng)勁增長。因此,光伏發(fā)電逆變技術(shù)前景十分看好。本文將主要針對高壓、大容量逆變器的關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行講解,并分析該如何正確地為光伏逆變器應(yīng)用選擇IGBT。
2013-05-22
逆變器 逆變技術(shù) 光伏發(fā)電 太陽能 IGBT
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最新的混合動力汽車鋰電池主動平衡快速充電技術(shù)
混合動力電動型汽車電池中的電子組件是提高性能和安全性的關(guān)鍵.Linear最新的混合動力汽車鋰電池主動平衡快速充電技術(shù),使電池組設(shè)計(jì)師能進(jìn)一步提高鋰離子電池的性能,更高的測量準(zhǔn)確度,更堅(jiān)固的數(shù)據(jù)鏈路和電池容量的主動電荷平衡都幫助實(shí)現(xiàn)了更低的成本,更長的行駛周期和更快的充電.
2013-05-21
鋰電池 Linear IC
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設(shè)計(jì)新思路:高效中頻熔斷電源設(shè)計(jì)
廣大工程師都有這樣一個(gè)困擾,常規(guī)晶閘管并聯(lián)諧振中頻電源存在的在熔煉期內(nèi)輸出功率達(dá)不到額定功率,針對這一問題,本文設(shè)計(jì)了一種對DC/AC逆變器采用調(diào)節(jié)功率角φ的觸發(fā)控制電路,配合原有的AC/DC相控雙閉環(huán)控制電路,可以使中頻熔煉電源實(shí)現(xiàn)高效控制。
2013-05-17
中頻電源 晶閘管
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新型電源柵極驅(qū)動器設(shè)計(jì)
高功率電平帶來更高的系統(tǒng)電壓,轉(zhuǎn)換器內(nèi)所用各種組件的切斷電壓也更高。單通道UCC27531作為一種小型、非隔離式柵極驅(qū)動器,它的高電源/輸出驅(qū)動電壓范圍為10到35V,讓其成為12V Si MOSFET應(yīng)用和IGBT/SiC FET應(yīng)用的理想選擇。
2013-05-17
IGBT MOSFET 電源柵極驅(qū)動器
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孰優(yōu)孰劣:氮化鎵場效應(yīng)晶體管VS硅功率器件?
工程師常常認(rèn)為當(dāng)應(yīng)用需要更高電壓時(shí),使用氮化鎵場效應(yīng)晶體管(eGaN FET)在性能方面才更具優(yōu)勢。但是,如果只是考慮開關(guān)品質(zhì)因數(shù),相比先進(jìn)的MOSFET器件,200V的eGaN FET器件的優(yōu)勢好像減弱了。GaN場效應(yīng)晶體管與硅功率器件中低壓降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中的性能到底怎樣?且聽本文細(xì)細(xì)分解。
2013-05-16
氮化鎵場效應(yīng)晶體管 硅功率器件
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Vicor零電壓DCDC轉(zhuǎn)換器 挑戰(zhàn)環(huán)境嚴(yán)苛、空間受限應(yīng)用
Vicor擴(kuò)展Picor旗下的隔離式Cool-Power ZVS DC-DC轉(zhuǎn)換器,提供高密度 (334 W/in3) 方案。該轉(zhuǎn)換器連接QuietPower有原EMI濾波器, 將進(jìn)一步提升整個(gè)的模塊式方案的性能,適合嚴(yán)苛的,空間受限的工業(yè)和航空、國防應(yīng)用。
2013-05-15
轉(zhuǎn)換器 電源 濾波器 Vicor
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硅功率MOSFET前景堪憂?
30年前硅功率MOSFET的出現(xiàn)使市場快速接受開關(guān)電源,硅功率MOSFET成為很多應(yīng)用的必選功率器件。近些年來,MOSFET不可避免地進(jìn)入到性能瓶頸期;然而與此同時(shí),增強(qiáng)型GaN HEMT器件在開關(guān)性能和整個(gè)器件帶寬有突破性改善,迅速占領(lǐng)市場。硅功率MOSFET在電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的發(fā)展已經(jīng)走到盡頭了嗎?
2013-05-15
MOSFET 電源轉(zhuǎn)換 GaN
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