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淺析MOS管擊穿的原因及解決方案
MOS管本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電，而少量電荷就可在極間電容上形成相當高的電壓（U=Q/C），將管子損壞。雖然MOS輸入端有抗靜電的保護措施，但仍需小心對待，在存儲和運輸中最好用金屬容器或者導電材料包裝，不要放在易產生靜電高壓的化...
2012-03-29
MOS管 擊穿 原因 解決方案
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淺析MOS管擊穿的原因及解決方案
MOS管本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電，而少量電荷就可在極間電容上形成相當高的電壓（U=Q/C），將管子損壞。雖然MOS輸入端有抗靜電的保護措施，但仍需小心對待，在存儲和運輸中最好用金屬容器或者導電材料包裝，不要放在易產生靜電高壓的化...
2012-03-29
MOS管 擊穿 原因 解決方案
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降壓式DC/DC轉換器的MOSFET選擇要點
同步整流降壓式DC/DC轉換器都采用控制器和外接功率MOSFET的結構。控制器生產商會在數據資料中給出參數齊全的應用電路，但用戶的使用條件經常與典型應用電路不同，要根據實際情況改變功率MOSFET的參數。
2012-03-29
DC/DC MOSFET 降壓式
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解析數字電視及其測量
本文在介紹數字電視基本概念和背景的前提下，介紹了數字電視測試的主要參數和主要儀器，并介紹數字電視測試行業的發展狀況。
2012-03-29
數字電視 測量 電視
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650V:飛兆半導體IGBT提高功率轉換應用的效率和系統可靠性
太陽能功率逆變器、不間斷電源(UPS)以及焊接應用的設計人員面臨提高能效，滿足散熱法規，同時減少元件數目的挑戰。有鑒于此，飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發了一系列針對光伏逆變器應用的650V IGBT產品，幫助設計人員應對這一行業挑戰。
2012-03-29
650V 飛兆半導體 IGBT
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Molex78727/646：Molex推出micro-SIM卡插座
全球領先的全套互連產品供應商Molex公司日前宣布推出兩個專為超薄智能手機、平板電腦、GSM/UMTS調制解調器和PC卡等便攜通信設備而開發的推挽式 (push-pull) 6路和8路micro-SIM卡插座系列。Molex78727系列插座的高度為1.40 mm，并帶有檢測開關；78646系列的高度則為1.45 mm，不帶檢測開關。
2012-03-29
Molex78727/646 Molex micro-SIM卡插座
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MIC28510：麥瑞半導體推出高功效寬輸入開關穩壓器集成電路
模擬、高帶寬通信及以太網集成電路(IC)解決方案領域的行業領導者麥瑞半導體 (Micrel Inc.)（納斯達克股票代碼：MCRL）日前發布了MIC28510寬輸入同步開關穩壓器積成電路，該集成電路可以提供峰值轉換效率超過94%的降壓轉換，最大輸入電壓為75V，最大輸出電流為4A。該解決方案使電源應用無需采用高成...
2012-03-29
MIC28510 麥瑞半導體 開關穩壓器 集成電路
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MIC28510：麥瑞半導體推出高功效寬輸入開關穩壓器集成電路
模擬、高帶寬通信及以太網集成電路(IC)解決方案領域的行業領導者麥瑞半導體 (Micrel Inc.)（納斯達克股票代碼：MCRL）日前發布了MIC28510寬輸入同步開關穩壓器積成電路，該集成電路可以提供峰值轉換效率超過94%的降壓轉換，最大輸入電壓為75V，最大輸出電流為4A。該解決方案使電源應用無需采用高成...
2012-03-29
MIC28510 麥瑞半導體 開關穩壓器 集成電路
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PIC16F(LF)178X：Microchip推出模擬和數字外設8位單片機
全球領先的整合單片機、模擬器件和閃存專利解決方案的供應商——Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）在美國圣何塞市舉行的DESIGN West大會上宣布，擴展其8位PIC16F(LF)178X增強型中檔內核單片機（MCU）系列，將多種先進模擬和集成通信外設融入其中，如片上12位模數轉換器（ADC）、8位數模...
2012-03-29
PIC16F(LF)178X Microchip 單片機
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