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材料成本優(yōu)勢(shì)顯 中大尺寸觸控OGS成首選
隨著大尺寸AIO、LCD顯示器相繼導(dǎo)入觸控人機(jī)接口，觸控技術(shù)開(kāi)始進(jìn)入成本效能的優(yōu)化階段。因?yàn)榭梢愿纳聘叱杀尽⒌土悸蕟?wèn)題，OGS正在成為中大尺寸首選。OGS技術(shù)方案能繼續(xù)維持成本優(yōu)勢(shì)，成為觸控屏幕集成的主流嗎？
2013-07-27
OGS 觸控 中大尺寸觸控方案 OGS觸控方案
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工程師回憶錄之小信號(hào)放大【電路圖講解】
小信號(hào)放大一直是電子設(shè)計(jì)競(jìng)賽經(jīng)久不衰的題目，也是工程師們?cè)O(shè)計(jì)電路時(shí)經(jīng)常遇到的問(wèn)題。作者歷經(jīng)小信號(hào)放大的血淚史，介紹了小信號(hào)放大中的集成芯片放大電路、濾波器電路和分立元件放大器，有詳細(xì)的電路圖講解哦！其中LC無(wú)源濾波器的軟件設(shè)計(jì)、仿真以及硬件制作流程也合適很多其他電路設(shè)計(jì)。
2013-07-27
電路圖 放大電路 電路圖講解 濾波器電路 放大器
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Vishay發(fā)布軍工和航天應(yīng)用液鉭高能電容器，業(yè)界容量最高
Vishay 日前宣布發(fā)布新款液鉭高能電容器---HE4，這款器件在+25℃和1kHz條件下的最大ESR只有0.025?，在市場(chǎng)上類似器件當(dāng)中容量最高，容量為1100μF～72000μF。HE4的制造工藝使其可以承受高應(yīng)力和惡劣的環(huán)境，采用可在軍工和航天應(yīng)用中提高可靠性和性能的特殊殼體設(shè)計(jì)。
2013-07-26
Vishay 液鉭高能電容器 航天應(yīng)用液鉭高能電容器
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成本幾乎為零，三層錫絲架DIY
白光錫絲架611全新原裝要120，雙層的要180，作者一怒之下DIY了個(gè)三層錫絲架。材料包括長(zhǎng)方形木板*5、鐵絲衣架、不明白桿（前面是撿的）、螺絲釘*4、普通寬膠帶、黃色絕緣膠帶……
2013-07-26
錫絲架DIY 錫絲架
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爆料：智能手機(jī)的生產(chǎn)流程和器件生態(tài)鏈內(nèi)幕
作為一個(gè)典型的電子產(chǎn)品，智能手機(jī)主要由什么組成？一般手機(jī)的零部件分為哪幾部分？手機(jī)是怎么做出來(lái)的？它的生態(tài)鏈又如何？本文由手機(jī)業(yè)內(nèi)人士爆料，揭秘手機(jī)生產(chǎn)的基礎(chǔ)過(guò)程、手機(jī)的生產(chǎn)過(guò)程和手機(jī)的測(cè)試流程。
2013-07-26
智能手機(jī) 手機(jī)生產(chǎn)流程 手機(jī)測(cè)試流程 手機(jī)生產(chǎn)
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泰克推出業(yè)界領(lǐng)先的新型高性能混合信號(hào)示波器
泰克推出行業(yè)領(lǐng)先的新型高性能混合信號(hào)示波器——新MSO/DPO70000DX系列示波器增強(qiáng)混合信號(hào)性能及探測(cè)功能，并提供眾多升級(jí)選項(xiàng)；同期推出全球速度最快噪聲最低的33GHz帶寬示波器探頭，及業(yè)內(nèi)最高的低壓、高速串行及RF信號(hào)探測(cè)靈敏度。
2013-07-25
Tektronix MSO70000DX 混合信號(hào)示波器 泰克
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泰克推出業(yè)內(nèi)首個(gè)針對(duì)QSFP+產(chǎn)品一致性測(cè)試和調(diào)試解決方案
泰克日前宣布推出業(yè)內(nèi)首個(gè)針對(duì)四通道SFP接口(QSFP+)兼容產(chǎn)品的一致性測(cè)試和調(diào)試解決方案。新QSFP+解決方案基于泰克DPO/DSA/MSO70000示波器，包括用于設(shè)計(jì)、測(cè)試和驗(yàn)證QSFP+設(shè)計(jì)需要的所有組件、HCB夾具及測(cè)試自動(dòng)化和調(diào)試軟件工具。該解決方案支持設(shè)計(jì)鑒定，具有對(duì)測(cè)試配置（如分析窗口和其他參數(shù)）...
2013-07-25
QSFP 泰克 Tektronix
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TDK新型0603尺寸電感器，實(shí)現(xiàn)行業(yè)最高水平的35Q特性
日前，TDK開(kāi)發(fā)出積層工法高頻電路用電感器MHQ0603P系列，在1GHz時(shí)Q特性提升至了35（電感值為3.9nH的情況），與以往產(chǎn)品相比Q特性提高了25％，體積減小26％，封裝面積減小38％。
2013-07-23
電感器 TDK MHQ0603P
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富士通推出耐壓150V的GaN功率器件產(chǎn)品，品質(zhì)因數(shù)降半
富士通半導(dǎo)體日前宣布，推出可耐壓150 V的基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A。該產(chǎn)品初始狀態(tài)是斷開(kāi)(Normally-off)，相比于同等耐壓規(guī)格的硅功率器件，品質(zhì)因數(shù)(FOM)可降低近一半。基于富士通新型GaN功率器件，用戶可以設(shè)計(jì)出體積更小，效率更高的電源組件。
2013-07-23
富士通 功率器件 GaN功率器件 150VGaN功率器件
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